華為布局第三代半導體材料 爭奪5G時代主動權

  9月9日,日前,華為公司通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司,占股10%,后者是一家以碳化硅為主的半導體材料公司,這或許意味著華為正在布局新一代半導體技術。

  在半導體材料上其實有一、二、三代的說法。其中第一代半導體材料是以硅(Si)為代表,第二代以砷化鎵(GaAs)為代表,第三代則是以以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等為代表。

  據了解,以碳化硅為代表的第三代半導體材料在制造高溫、高頻、抗輻射及大功率器件方面有優勢,可廣泛應用于大功率高頻電子器件、半導體發光二極管(LED)、5G通訊、汽車IGBT芯片、物流網等微波通訊領域。業內人士認為在5G時代、人工智能時代,第三代半導體材料將會迎來大發展。

  華為沒有公布投資碳化硅技術的具體內容,不過碳化硅主要應用市場與華為現在及未來的很多業務有關。此前華為在半導體產業的布局一直以IC設計業為主,擁有自有的第三代半導體材料渠道,對于華為而言可以讓其在芯片材料供應上不受限制,助其在5G時代擁有更多的主動權。

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